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关键词：
The Physics and Applications of Resonant Tunnelling Diodes
书目信息
ISBN：
9780521032520（13位）
中图分类号：
TN
杜威分类号：
中文译名：
共振隧穿二极管物理原理及其应用
作者：
Hiroshi Mizuta
编者：
语种：
English
出版信息
出版社：
Cambridge University Press
出版地：
出版年：
2006
版本：
版本类型：
原版
丛书题名：
卷期：
文献信息
关键词：
semiconductor physics, electrical engineering
前言：
摘要：
内容简介：
This book gives a comprehensive description of the physics and applications of resonant tunnelling diodes. The opening chapters of the book set out the basic principles of coherent tunnelling theory. The effects of impurity scattering, femtosecond dynamics, non-equilibrium distribution and intrinsic bistabilities are then described in detail. The applications of RTDs, such as in high-frequency signal generation and multi-valued data storage, are also reviewed. The book closes with a chapter devoted to the more recent field of resonant tunnelling through laterally confined zero-dimensional structures. Covering all the key theoretical and experimental aspects of this stimulating area of research, the book will be of great value to graduate students of quantum transport physics and device engineering, as well as to researchers in both these fields.
目次：
Preface; 1. Introduction; 2. Introduction to resonant tunnelling in semiconductor heterostructures; 3. Scattering-assisted resonant tunnelling; 4. Femtosecond dynamics and non-equilibrium distribution of electrons in resonant tunneling diodes; 5. High-speed and functional applications of resonant tunnelling diodes; 6. Resonant tunnelling in low-dimensional double-barrier heterostructures; Index.
附录：
全文链接：
读者对象：
academic researchers, graduate students
实体信息
页码：
253
装帧：
Paperback
尺寸：
其它形态细节：
其它信息
原价：
USD
40.9500
原版ISBN：
其它ISBN：
图书特色：
书评：
扩展信息
Isbn：
0521032520
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